FDP038AN06A0-F102 - MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Référence fabricant

FDP038AN06A0-F102

Numéro de pièce interne

ABC-FDP038AN06A0-F102

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDP038AN06A0-F102

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDP038AN06A0-F102

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6400pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 310W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDP03 , FDP038AN

Documents pour FDP038AN06A0-F102

Feuilles de données : FDP038AN06A0-F102.pdf

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