DS1250AB-100IND+ - IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

Référence fabricant

DS1250AB-100IND+

Numéro de pièce interne

ABC-DS1250AB-100IND+

Fabricant

Maxim Integrated

Brève description

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

44931 Pieces

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Spécifications pour DS1250AB-100IND+

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DS1250AB-100IND+

Fabricant : Maxim Integrated

La description : IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Non-Volatile

Format de mémoire : NVSRAM

La technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Taille mémoire : 4Mb (512K x 8)

Fréquence d'horloge : -

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 100ns

Temps d'accès : 100ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 4.75V ~ 5.25V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Package d'appareils du fournisseur : 32-EDIP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DS125 , DS1250AB

Documents pour DS1250AB-100IND+

Feuilles de données : DS1250AB-100IND+.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
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