DMJ70H1D3SJ3 - MOSFET N-CH TO251

Référence fabricant

DMJ70H1D3SJ3

Numéro de pièce interne

ABC-DMJ70H1D3SJ3

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH TO251

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour DMJ70H1D3SJ3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMJ70H1D3SJ3

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH TO251

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 700V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 351pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 41W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 155°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-251

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMJ7 , DMJ70H

Documents pour DMJ70H1D3SJ3

Feuilles de données : DMJ70H1D3SJ3.pdf

Produits associés pour DMJ70H1D3SJ3 Diodes Incorporated

Numéro d'article	Marque	La description
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