SE15FJHM3/I - DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB

Référence fabricant

SE15FJHM3/I

Numéro de pièce interne

ABC-SE15FJHM3/I

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SE15FJHM3/I

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SE15FJHM3/I

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.5A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.05V @ 1.5A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 900ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : 10.5pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-219AB

Package d'appareils du fournisseur : DO-219AB (SMF)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SE1 , SE15F

Documents pour SE15FJHM3/I

Feuilles de données : SE15FJHM3/I.pdf

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