ZXMN6A09KQTC - MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Référence fabricant

ZXMN6A09KQTC

Numéro de pièce interne

ABC-ZXMN6A09KQTC

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour ZXMN6A09KQTC

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ZXMN6A09KQTC

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1426pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 10.1W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ZXMN , ZXMN6A

Documents pour ZXMN6A09KQTC

Feuilles de données : ZXMN6A09KQTC.pdf

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