PHX23NQ11T,127 - MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A

Référence fabricant

PHX23NQ11T,127

Numéro de pièce interne

ABC-PHX23NQ11T,127

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PHX23NQ11T,127

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PHX23NQ11T,127

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 110V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 41.6W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PHX2 , PHX23NQ

Documents pour PHX23NQ11T,127

Feuilles de données : PHX23NQ11T,127.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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