BAS21E6433HTMA1 - DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23

Référence fabricant

BAS21E6433HTMA1

Numéro de pièce interne

ABC-BAS21E6433HTMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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25612272 Pieces

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Spécifications pour BAS21E6433HTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BAS21E6433HTMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23

Séries : -

Statut de la pièce : Last Time Buy

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 250mA (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.25V @ 200mA

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 50ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 200V

Capacité @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BAS21 , BAS21E6

Documents pour BAS21E6433HTMA1

Feuilles de données : BAS21E6433HTMA1.pdf

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