PMXB65UPEZ - MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Référence fabricant

PMXB65UPEZ

Numéro de pièce interne

ABC-PMXB65UPEZ

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PMXB65UPEZ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMXB65UPEZ

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 6V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DFN1010D-3

Paquet / caisse : 3-XDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMX , PMXB6

Documents pour PMXB65UPEZ

Feuilles de données : PMXB65UPEZ.pdf

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