MUN5212DW1T1G - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Référence fabricant

MUN5212DW1T1G

Numéro de pièce interne

ABC-MUN5212DW1T1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

13590402 Pieces

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Spécifications pour MUN5212DW1T1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MUN5212DW1T1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V

Résistance - Base (R1) : 22 kOhms

Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 22 kOhms

Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA

Fréquence - Transition : -

Puissance - Max : 250mW

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : SC-88/SC70-6/SOT-363

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MUN5 , MUN521

Documents pour MUN5212DW1T1G

Feuilles de données : MUN5212DW1T1G.pdf

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