TK7E80W,S1X - MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

Référence fabricant

TK7E80W,S1X

Numéro de pièce interne

ABC-TK7E80W,S1X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

227304 Pieces

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Spécifications pour TK7E80W,S1X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK7E80W,S1X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

Séries : DTMOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 280µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 300V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 110W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK7 , TK7E8

Documents pour TK7E80W,S1X

Feuilles de données : TK7E80W,S1X.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
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