IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Référence fabricant

IRF9Z34NLPBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF9Z34NLPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

103816 Pieces

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Spécifications pour IRF9Z34NLPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF9Z34NLPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-262

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF9 , IRF9Z3

Documents pour IRF9Z34NLPBF

Feuilles de données : IRF9Z34NLPBF.pdf

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