FQU20N06LTU - MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK

Référence fabricant

FQU20N06LTU

Numéro de pièce interne

ABC-FQU20N06LTU

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQU20N06LTU

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQU20N06LTU

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 17.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 8.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 38W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQU , FQU20

Documents pour FQU20N06LTU

Feuilles de données : FQU20N06LTU.pdf

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