FQB55N06TM - MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Référence fabricant

FQB55N06TM

Numéro de pièce interne

ABC-FQB55N06TM

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour FQB55N06TM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQB55N06TM

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 55A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1690pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.75W (Ta), 133W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQB , FQB55

Documents pour FQB55N06TM

Feuilles de données : FQB55N06TM.pdf

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