MMDF2C03HDR2G - MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Référence fabricant

MMDF2C03HDR2G

Numéro de pièce interne

ABC-MMDF2C03HDR2G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour MMDF2C03HDR2G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MMDF2C03HDR2G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.1A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 24V

Puissance - Max : 2W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MMDF , MMDF2C

Documents pour MMDF2C03HDR2G

Feuilles de données : MMDF2C03HDR2G.pdf

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