NTTS2P03R2G - MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

Référence fabricant

NTTS2P03R2G

Numéro de pièce interne

ABC-NTTS2P03R2G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTTS2P03R2G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTTS2P03R2G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.48A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 24V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 600mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : Micro8™

Paquet / caisse : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTT , NTTS2

Documents pour NTTS2P03R2G

Feuilles de données : NTTS2P03R2G.pdf

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