1N4448,113 - DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Référence fabricant

1N4448,113

Numéro de pièce interne

ABC-1N4448,113

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

112168 Pieces

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Spécifications pour 1N4448,113

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1N4448,113

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA (DC)

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 4ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 25nA @ 20V

Capacité @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial

Package d'appareils du fournisseur : ALF2

Température de fonctionnement - Jonction : 200°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1N4 , 1N444

Documents pour 1N4448,113

Feuilles de données : 1N4448,113.pdf

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