RUM002N05T2L - MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT

Référence fabricant

RUM002N05T2L

Numéro de pièce interne

ABC-RUM002N05T2L

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RUM002N05T2L

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RUM002N05T2L

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 50V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : VMT3

Paquet / caisse : SOT-723

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RUM0 , RUM002

Documents pour RUM002N05T2L

Feuilles de données : RUM002N05T2L.pdf

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