APTM100H80FT1G - MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Référence fabricant

APTM100H80FT1G

Numéro de pièce interne

ABC-APTM100H80FT1G

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

50336 Pieces

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Spécifications pour APTM100H80FT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTM100H80FT1G

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 4 N-Channel (H-Bridge)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V (1kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 960 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3876pF @ 25V

Puissance - Max : 208W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SP1

Package d'appareils du fournisseur : SP1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTM , APTM100

Documents pour APTM100H80FT1G

Feuilles de données : APTM100H80FT1G.pdf

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