NTP8G206NG - MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Référence fabricant

NTP8G206NG

Numéro de pièce interne

ABC-NTP8G206NG

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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86592 Pieces

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Spécifications pour NTP8G206NG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTP8G206NG

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 17A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±18V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 480V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 96W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTP , NTP8G

Documents pour NTP8G206NG

Feuilles de données : NTP8G206NG.pdf

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