APTGTQ100DDA65T3G - POWER MODULE - IGBT

Référence fabricant

APTGTQ100DDA65T3G

Numéro de pièce interne

ABC-APTGTQ100DDA65T3G

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

POWER MODULE - IGBT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

60064 Pieces

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~~USD 24.891~~

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Spécifications pour APTGTQ100DDA65T3G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTGTQ100DDA65T3G

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : POWER MODULE - IGBT

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : -

Configuration : Dual Boost Chopper

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100A

Puissance - Max : 250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100µA

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V

Contribution : Standard

Thermistance NTC : Yes

Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Module

Package d'appareils du fournisseur : SP3F

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTGT , APTGTQ10

Documents pour APTGTQ100DDA65T3G

Feuilles de données : APTGTQ100DDA65T3G.pdf

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