PSMN8R5-108ESQ - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Référence fabricant

PSMN8R5-108ESQ

Numéro de pièce interne

ABC-PSMN8R5-108ESQ

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

46150 Pieces

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Spécifications pour PSMN8R5-108ESQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PSMN8R5-108ESQ

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 108V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 111nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5512pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 263W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PSMN , PSMN8R5

Documents pour PSMN8R5-108ESQ

Feuilles de données : PSMN8R5-108ESQ.pdf

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