NXPSC08650DJ - DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK

Référence fabricant

NXPSC08650DJ

Numéro de pièce interne

ABC-NXPSC08650DJ

Fabricant

WeEn Semiconductors

Brève description

DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

49556 Pieces

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Spécifications pour NXPSC08650DJ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NXPSC08650DJ

Fabricant : WeEn Semiconductors

La description : DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de diode : Silicon Carbide Schottky

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 8A

La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 0ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 230µA @ 650V

Capacité @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareils du fournisseur : DPAK

Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NXPS , NXPSC0

Documents pour NXPSC08650DJ

Feuilles de données : NXPSC08650DJ.pdf

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