VP2206N3-G-P003 - MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Référence fabricant

VP2206N3-G-P003

Numéro de pièce interne

ABC-VP2206N3-G-P003

Fabricant

Microchip Technology

Brève description

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour VP2206N3-G-P003

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VP2206N3-G-P003

Fabricant : Microchip Technology

La description : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 640mA (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 740mW (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3

Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VP220 , VP2206N

Documents pour VP2206N3-G-P003

Feuilles de données : VP2206N3-G-P003.pdf

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