TSM100N06CZ C0G - MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220

Référence fabricant

TSM100N06CZ C0G

Numéro de pièce interne

ABC-TSM100N06CZ C0G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

411719 Pieces

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Spécifications pour TSM100N06CZ C0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM100N06CZ C0G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4382pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 167W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM10 , TSM100N

Documents pour TSM100N06CZ C0G

Feuilles de données : TSM100N06CZ C0G.pdf

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