TSM160P04LCRHRLG - MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Référence fabricant

TSM160P04LCRHRLG

Numéro de pièce interne

ABC-TSM160P04LCRHRLG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1870414 Pieces

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Spécifications pour TSM160P04LCRHRLG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM160P04LCRHRLG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 51A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2712pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 69W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM16 , TSM160P0

Documents pour TSM160P04LCRHRLG

Feuilles de données : TSM160P04LCRHRLG.pdf

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