SICRD101200TR - DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-SICRD101200TR
Fabricant
Brève description
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
136960 Pieces
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Spécifications pour SICRD101200TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SICRD101200TR
Fabricant : SMC Diode Solutions
La description : DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.8V @ 10A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : 640pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : DPAK
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SICRD101200TR
Feuilles de données : SICRD101200TR.pdf
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