BYV430J-600PQ - DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P

Référence fabricant

BYV430J-600PQ

Numéro de pièce interne

ABC-BYV430J-600PQ

Fabricant

WeEn Semiconductors

Brève description

DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

54792 Pieces

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Spécifications pour BYV430J-600PQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BYV430J-600PQ

Fabricant : WeEn Semiconductors

La description : DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 30A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2V @ 30A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 90ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V

Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareils du fournisseur : TO-3P

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BYV4 , BYV430

Documents pour BYV430J-600PQ

Feuilles de données : BYV430J-600PQ.pdf

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