IRF1018ESPBF - MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

Référence fabricant

IRF1018ESPBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRF1018ESPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

38505 Pieces

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Spécifications pour IRF1018ESPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF1018ESPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 79A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 110W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF1 , IRF101

Documents pour IRF1018ESPBF

Feuilles de données : IRF1018ESPBF.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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