TPH3206LDGB - GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Référence fabricant

TPH3206LDGB

Numéro de pièce interne

ABC-TPH3206LDGB

Fabricant

Transphorm

Brève description

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour TPH3206LDGB

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TPH3206LDGB

Fabricant : Transphorm

La description : GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±18V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 480V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 81W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PQFN (8x8)

Paquet / caisse : 3-PowerDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TPH , TPH32

Documents pour TPH3206LDGB

Feuilles de données : TPH3206LDGB.pdf

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