AIHD10N60RFATMA1 - IC DISCRETE 600V TO252-3

Référence fabricant

AIHD10N60RFATMA1

Numéro de pièce interne

ABC-AIHD10N60RFATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

IC DISCRETE 600V TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

679154 Pieces

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Spécifications pour AIHD10N60RFATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AIHD10N60RFATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : IC DISCRETE 600V TO252-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : Trench Field Stop

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 600V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 20A

Courant - collecteur pulsé (Icm) : 30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 10A

Puissance - Max : 150W

Énergie de commutation : 190µJ (on), 160µJ (off)

Type d'entrée : Standard

Charge de la porte : 64nC

Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 12ns/168ns

Condition de test : 400V, 10A, 26 Ohm, 15V

Temps de récupération inverse (trr) : -

Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3-313

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AIHD1 , AIHD10N6

Documents pour AIHD10N60RFATMA1

Feuilles de données : AIHD10N60RFATMA1.pdf

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