APT58M80J - MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Référence fabricant

APT58M80J

Numéro de pièce interne

ABC-APT58M80J

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

55296 Pieces

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Spécifications pour APT58M80J

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APT58M80J

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60W (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 570nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 17550pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 960W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-227

Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APT , APT5

Documents pour APT58M80J

Feuilles de données : APT58M80J.pdf

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