N0603N-S23-AY - MOSFET N-CH 60V 100A TO-262

Référence fabricant

N0603N-S23-AY

Numéro de pièce interne

ABC-N0603N-S23-AY

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 60V 100A TO-262

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour N0603N-S23-AY

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : N0603N-S23-AY

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 60V 100A TO-262

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7730pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta), 156W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-262

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : N060 , N0603N

Documents pour N0603N-S23-AY

Feuilles de données : N0603N-S23-AY.pdf

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