ESH3B M6G - DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Référence fabricant

ESH3B M6G

Numéro de pièce interne

ABC-ESH3B M6G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

5866028 Pieces

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Spécifications pour ESH3B M6G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ESH3B M6G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 3A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 900mV @ 3A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 20ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 100V

Capacité @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AB, SMC

Package d'appareils du fournisseur : DO-214AB (SMC)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ESH , ESH3

Documents pour ESH3B M6G

Feuilles de données : ESH3B M6G.pdf

Produits associés pour ESH3B M6G Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	Marque	La description
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WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 18KV SCREW.
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WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
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