BUK9Y65-100E,115 - MOSFET N-CH 100V LFPAK

Référence fabricant

BUK9Y65-100E,115

Numéro de pièce interne

ABC-BUK9Y65-100E,115

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 100V LFPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BUK9Y65-100E,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUK9Y65-100E,115

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 100V LFPAK

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63.3 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1523pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 64W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8

Paquet / caisse : SC-100, SOT-669

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUK9Y , BUK9Y65-

Documents pour BUK9Y65-100E,115

Feuilles de données : BUK9Y65-100E,115.pdf

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