PMDPB65UP,115 - MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

Référence fabricant

PMDPB65UP,115

Numéro de pièce interne

ABC-PMDPB65UP,115

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PMDPB65UP,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMDPB65UP,115

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 P-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 10V

Puissance - Max : 520mW

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : DFN2020-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMDP , PMDPB6

Documents pour PMDPB65UP,115

Feuilles de données : PMDPB65UP,115.pdf

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