RQ6E085BNTCR - NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Référence fabricant

RQ6E085BNTCR

Numéro de pièce interne

ABC-RQ6E085BNTCR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RQ6E085BNTCR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RQ6E085BNTCR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.25W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-457

Paquet / caisse : SC-74, SOT-457

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RQ6E , RQ6E08

Documents pour RQ6E085BNTCR

Feuilles de données : RQ6E085BNTCR.pdf

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