RF101LAM2STR - DIODE GEN PURP 200V 1A PMDTM

Référence fabricant

RF101LAM2STR

Numéro de pièce interne

ABC-RF101LAM2STR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 1A PMDTM

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

8436204 Pieces

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Spécifications pour RF101LAM2STR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RF101LAM2STR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : DIODE GEN PURP 200V 1A PMDTM

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 870mV @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 25ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOD-128

Package d'appareils du fournisseur : PMDTM

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RF10 , RF101L

Documents pour RF101LAM2STR

Feuilles de données : RF101LAM2STR.pdf

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