BSR316PL6327HTSA1 - MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

Référence fabricant

BSR316PL6327HTSA1

Numéro de pièce interne

ABC-BSR316PL6327HTSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSR316PL6327HTSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSR316PL6327HTSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 360mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 170µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 165pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-SC-59

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSR31 , BSR316PL

Documents pour BSR316PL6327HTSA1

Feuilles de données : BSR316PL6327HTSA1.pdf

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