1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-1N8026-GA
Fabricant
Brève description
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N8026-GA
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N8026-GA
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.6V @ 2.5A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-257-3
Package d'appareils du fournisseur : TO-257
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 250°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 1N8026-GA
Feuilles de données : 1N8026-GA.pdf
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