TK35N65W,S1F - MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Référence fabricant

TK35N65W,S1F

Numéro de pièce interne

ABC-TK35N65W,S1F

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

104632 Pieces

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Spécifications pour TK35N65W,S1F

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK35N65W,S1F

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Séries : DTMOSIV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 2.1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 270W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-247

Paquet / caisse : TO-247-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK35 , TK35N6

Documents pour TK35N65W,S1F

Feuilles de données : TK35N65W,S1F.pdf

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