TK32E12N1,S1X - MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Référence fabricant

TK32E12N1,S1X

Numéro de pièce interne

ABC-TK32E12N1,S1X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

464282 Pieces

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Spécifications pour TK32E12N1,S1X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK32E12N1,S1X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Séries : U-MOSVIII-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 120V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 60V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 98W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK32 , TK32E1

Documents pour TK32E12N1,S1X

Feuilles de données : TK32E12N1,S1X.pdf

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