SI8902AEDB-T2-E1 - N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET

Référence fabricant

SI8902AEDB-T2-E1

Numéro de pièce interne

ABC-SI8902AEDB-T2-E1

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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1948240 Pieces

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Spécifications pour SI8902AEDB-T2-E1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI8902AEDB-T2-E1

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 24V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 5.7W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-UFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI890 , SI8902AE

Documents pour SI8902AEDB-T2-E1

Feuilles de données : SI8902AEDB-T2-E1.pdf

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