ALD212908PAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Référence fabricant

ALD212908PAL

Numéro de pièce interne

ABC-ALD212908PAL

Fabricant

Advanced Linear Devices Inc.

Brève description

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour ALD212908PAL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ALD212908PAL

Fabricant : Advanced Linear Devices Inc.

La description : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Séries : EPAD®, Zero Threshold™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 10.6V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 500mW

Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

Package d'appareils du fournisseur : 8-PDIP

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ALD2 , ALD212

Documents pour ALD212908PAL

Feuilles de données : ALD212908PAL.pdf

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