GSID600A120S4B1 - SILICON IGBT MODULES

Référence fabricant

GSID600A120S4B1

Numéro de pièce interne

ABC-GSID600A120S4B1

Fabricant

Global Power Technologies Group

Brève description

SILICON IGBT MODULES

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

28458 Pieces

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Spécifications pour GSID600A120S4B1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GSID600A120S4B1

Fabricant : Global Power Technologies Group

La description : SILICON IGBT MODULES

Séries : Amp+™

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : -

Configuration : Half Bridge

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 1130A

Puissance - Max : 3060W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 600A

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 1mA

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V

Contribution : Standard

Thermistance NTC : Yes

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Module

Package d'appareils du fournisseur : Module

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GSID6 , GSID600

Documents pour GSID600A120S4B1

Feuilles de données : GSID600A120S4B1.pdf

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