IXFP12N65X2 - MOSFET N-CH

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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXFP12N65X2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFP12N65X2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1134pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 180W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXF , IXFP1

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Feuilles de données : IXFP12N65X2.pdf

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