BUK78150-55A,115 - MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

Référence fabricant

BUK78150-55A,115

Numéro de pièce interne

ABC-BUK78150-55A,115

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BUK78150-55A,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUK78150-55A,115

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 8W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-223

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUK78 , BUK78150

Documents pour BUK78150-55A,115

Feuilles de données : BUK78150-55A,115.pdf

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