PMXB43UNEZ - MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN

Référence fabricant

PMXB43UNEZ

Numéro de pièce interne

ABC-PMXB43UNEZ

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour PMXB43UNEZ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMXB43UNEZ

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 551pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 400mW (Ta), 8.33W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DFN1010D-3

Paquet / caisse : 3-XDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMX , PMXB4

Documents pour PMXB43UNEZ

Feuilles de données : PMXB43UNEZ.pdf

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