MBR200150CT - DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Référence fabricant

MBR200150CT

Numéro de pièce interne

ABC-MBR200150CT

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

45568 Pieces

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Spécifications pour MBR200150CT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MBR200150CT

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode

Type de diode : Schottky

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 150V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 100A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 880mV @ 100A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : -

Courant - Fuite inverse @ Vr : 3mA @ 150V

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Twin Tower

Package d'appareils du fournisseur : Twin Tower

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MBR , MBR20

Documents pour MBR200150CT

Feuilles de données : MBR200150CT.pdf

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