FDB0300N1007L - MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Référence fabricant

FDB0300N1007L

Numéro de pièce interne

ABC-FDB0300N1007L

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDB0300N1007L

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDB0300N1007L

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8295pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263)

Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDB0 , FDB030

Documents pour FDB0300N1007L

Feuilles de données : FDB0300N1007L.pdf

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