SI2316DS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Référence fabricant

SI2316DS-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SI2316DS-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI2316DS-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI2316DS-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA (Min)

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 215pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI231 , SI2316D

Documents pour SI2316DS-T1-GE3

Feuilles de données : SI2316DS-T1-GE3.pdf

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